近乎無限壽命的新型固態(tài)硬盤問世

 　　在固態(tài)硬盤問世之初，外界對其穩(wěn)定性曾經(jīng)有過嚴(yán)重的擔(dān)憂。經(jīng)過證明，固態(tài)硬盤的穩(wěn)定性要比我們所想的更高，壽命基本可以達(dá)到10年以上。但問題在于，它們所使用的NAND閃存的確會產(chǎn)生損耗。不過現(xiàn)在，一種名為NRAM的新技術(shù)聲稱可取代現(xiàn)有的NAND閃存，為固態(tài)硬盤帶來近乎無限的使用壽命。

　　NAND的缺陷和其自身的設(shè)計(jì)有關(guān)。在NAND閃存當(dāng)中，數(shù)據(jù)是使用電荷進(jìn)行保持的，后者會被用來判斷某段內(nèi)存當(dāng)中所包含的是0還是1。在使用過程當(dāng)中，用來固定電子的絕緣層會產(chǎn)生損耗，并最終影響內(nèi)存值判斷的準(zhǔn)確性。

　　而NRAM的工作方式則有所不同。它由碳納米管層所制作而成，當(dāng)這些納米管彼此接近時(shí)，電阻就會降低，反之則會提高。電壓可以讓這些納米管在不同狀態(tài)之間切換，從而讓它們存儲0或1。

　　納米管的耐久度極高，可實(shí)現(xiàn)幾乎無限的讀寫循環(huán)。它們還具備耐熱、耐寒、抗電磁干擾和輻射的能力，而這些對于NAND或其他任何存儲介質(zhì)都是非常危險(xiǎn)的。與此同時(shí)，它們的數(shù)據(jù)讀寫速度也非常快，可達(dá)到DDR4通道的飽和值。

　　在問世之后，這項(xiàng)技術(shù)或許不會對于消費(fèi)級固態(tài)硬盤產(chǎn)生直接、明顯的影響。但對于數(shù)據(jù)中心和超級計(jì)算機(jī)來說，它的耐久度的確是個(gè)很大的吸引力。發(fā)明這項(xiàng)技術(shù)的公司Nantero表示，它們目前正在和前五大半導(dǎo)體代工廠的其中兩家進(jìn)行合作。

　　Nantero表示，首批使用NRAM技術(shù)的產(chǎn)品將使用20nm工藝制作而成，但具體問世時(shí)間目前還尚未確定。

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