三星率先實現(xiàn)10nm級DRAM芯片量產(chǎn) 年內(nèi)上市

　　英特爾的10nm CPU雖然被延期，但三星的10nm級DRAM芯片已經(jīng)可供使用了。這家韓國廠商日前宣布，他們已經(jīng)先于SK海力士和鎂光實現(xiàn)了10nm DDR4芯片的量產(chǎn)。

　　三星表示，他們將在今年生產(chǎn)SIMM模塊，容量從4GB到最高128GB不等。此外，他們還稱將在“近期”推出10nm移動DRAM。

　　三星在去年發(fā)布了用于固態(tài)硬盤和其他存儲產(chǎn)品的10nm NAND閃存，但將DRAM縮小至如此的尺寸要更加困難。這是因為內(nèi)存的不穩(wěn)定性需要電容器伴隨著晶體管存在，也就是所又有這些元件都需要進行縮小。除此之外，三星還必須“在幾十納米寬的晶體管上堆疊極窄的圓柱形電容器以存儲大電荷，從而創(chuàng)造超過80億個單元”。如此一來，制作難度又被提高了好幾倍。

　　為了實現(xiàn)生產(chǎn)，三星改良了自己的四重圖形技術(最早用于NAND閃存)，用光刻曝光來增加芯片功能的分辨率，并最終把芯片速度和能效都提高了20%(和20nm RAM相比)。雖然這種RAM將率先面向筆記本推出，但臺式機用戶在今年年底之前應該也能買到采用相同技術的產(chǎn)品。

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