什么是內(nèi)存時序 內(nèi)存時序設置詳解

 　　什么是內(nèi)存時序?內(nèi)存時序怎么設置?

　　內(nèi)存時序簡介

　　內(nèi)存時序是描述內(nèi)存條性能的一種參數(shù)，一般存儲在內(nèi)存條的SPD中。

　　一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency(簡稱CL值)內(nèi)存CAS延遲時間，它是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會把CL值印在內(nèi)存條的標簽上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間; RAS Precharge Delay(tRP)，內(nèi)存行地址選通脈沖預充電時間; Row Active Delay(tRAS)，內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設定，內(nèi)存模組廠商也有計劃的推出了低于JEDEC認證標準的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內(nèi)存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個百分點。

　　內(nèi)存時序參數(shù)簡介

　　存取時序

　　上面的表格展示的是一次普通的DRAM存儲周期。首先，行地址信息會被送到DRAM中，經(jīng)歷了tRCD這段時間之后，行地址已經(jīng)進行了“選通”。由于現(xiàn)在的存儲器一般是SDRAM，我們可以一次多多個列提取信息，而每一次讀取需要tCAS(R)這么多的時間。當列操作結(jié)束時，DRAM需要tRP這么多的時間進行預充電，以便為下一次存取操作做準備。而一般來說，tRAS > tRCD + tCAS + 2，這是因為需要留足夠的時間給存取的數(shù)據(jù)去“流動”。經(jīng)過這樣的了解，我們可以通俗的理解這幾個參數(shù)：

　　tCAS：列尋址所需要的時鐘周期(周期的數(shù)量表示延遲的長短)

　　tRCD：行尋址和列尋址時鐘周期的差值

　　tRP：在下一個存儲周期到來前，預充電需要的時鐘周期

　　tRAS：對某行的數(shù)據(jù)進行存儲時，從操作開始到尋址結(jié)束需要的總時間周期 ?