什么是內(nèi)存時序 內(nèi)存時序設(shè)置詳解(5)

　　Write Recovery Time(tWR)

　　可選的設(shè)置：Auto，2，3。

　　Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復(fù)延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。

　　如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2;如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。

　　Write to Read Delay(tWTR)

　　可選的設(shè)置：Auto，1，2。

　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。

　　tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內(nèi)容模塊運行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1;如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。

　　Refresh Period(tREF)

　　可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。 ?