什么是內(nèi)存時(shí)序 內(nèi)存時(shí)序設(shè)置詳解(8)

　　DQS Skew Value

　　可選的設(shè)置：Auto，0-255，步進(jìn)值為1。

　　當(dāng)我們開啟了DQS skew control后，該選項(xiàng)用來設(shè)定增加或減少的數(shù)值。這個(gè)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)的影響并不很敏感。 對(duì)于DFI主板來說，開啟"Increase Skew"選項(xiàng)后，可以將該值設(shè)為50-255之間的值。值越大，表示速度越快。

　　DRAM Drive Strength

　　可選的設(shè)置：Auto，1-8，步進(jìn)值為1。

　　DRAM Drive Strength(也被稱為：driving strength)，表示“DRAM驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度”。這個(gè)參數(shù)用來控制內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號(hào)強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號(hào)強(qiáng)度越高，增加信號(hào)強(qiáng)度可以提高超頻的穩(wěn)定性。但是并非信號(hào)強(qiáng)度高就一定好，三星的TCCD內(nèi)存芯片在低強(qiáng)度信號(hào)下性能更佳。

　　如果設(shè)為Auto，系統(tǒng)通常會(huì)設(shè)定為一個(gè)較低的值。對(duì)使用TCCD的芯片而言，表現(xiàn)會(huì)好一些。但是其他的內(nèi)存芯片就并非如此了，根據(jù)在DFI NF4主板上調(diào)試和測(cè)試的結(jié)果，1、3、5 、7都是性能較弱的參數(shù)，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設(shè)置，8提供了最強(qiáng)的信號(hào)強(qiáng)度。TCCD建議參數(shù)為3、5或7，其他芯片的內(nèi)存建議設(shè)為6或8。

　　DFI用戶建議設(shè)置：TCCD建議參數(shù)為3、5、7，其他芯片的內(nèi)存建議設(shè)為6或8。

　　DRAM Data Drive Strength

　　可選的設(shè)置：Auto，1-4，步進(jìn)值為1。

　　DRAM Data Drive Strength表示“DRAM數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度”。這個(gè)參數(shù)決定內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號(hào)強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號(hào)強(qiáng)度越高。它主要用于處理高負(fù)荷的內(nèi)存讀取時(shí)，增加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統(tǒng)內(nèi)存的讀取負(fù)荷很高，則應(yīng)將該值設(shè)置為高(Hi/High)。它有助于對(duì)內(nèi)存數(shù)據(jù)總線超頻。但如果你并沒有超頻，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)線的信號(hào)強(qiáng)度，可以提高超頻后速度的穩(wěn)定性。此外，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號(hào)強(qiáng)度并不能增強(qiáng)SDRAM DIMM的性能。因此，除非你內(nèi)存有很高的讀取負(fù)荷或試圖超頻DIMM，建議設(shè)置DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。

　　要處理大負(fù)荷的數(shù)據(jù)流時(shí)，需要提高內(nèi)存的駕馭能力，你可以設(shè)為Hi或者High。超頻時(shí)，調(diào)高此項(xiàng)參數(shù)可以提高穩(wěn)定性。此外，這個(gè)參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能幾乎沒什么影響。所以，除非超頻，一般用戶建議設(shè)為L(zhǎng)o/Low。

　　DFI用戶建議設(shè)置：普通用戶建議使用level 1或3，如果開啟了CPC，可能任何高于1的參數(shù)都會(huì)不穩(wěn)定。部分用戶開啟CPC后能運(yùn)行在3。更多的人關(guān)閉CPC后2-4都能夠穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)然最理想的參數(shù)是開啟CPC后設(shè)為level4。

　　Strength Max Async Latency

　　可選的設(shè)置：Auto，0-15，步進(jìn)值為1。

　　Strength Max Async Latency目前還沒能找到任何關(guān)于此項(xiàng)參數(shù)的說明，不知道其功能。感覺網(wǎng)友的經(jīng)驗(yàn)，在進(jìn)行Everest的LatencyTest時(shí)，可以看出一些差別。在我的BH-6上，參數(shù)從8ns到7ns在Latency Test的測(cè)試結(jié)果中有1ns的區(qū)別。從7ns調(diào)低6ns后，測(cè)試結(jié)果又減少了2ns。

　　DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的默認(rèn)值為7ns，建議大家在5-10之間調(diào)節(jié)。6ns對(duì)內(nèi)存的要求就比較高了，建議使用BH-5和UTT芯片的用戶可以嘗試一下，但對(duì)TCCD不適用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5設(shè)為7n比較適合超頻。8ns對(duì)UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns時(shí)TCCD通常能穩(wěn)定運(yùn)行在DDR600，如果想超頻到DDR640就必須設(shè)為9ns甚至更高了。 ?